日本電力器件(JPD，京都市下京區(qū)，須山透社長)將從3月份開始銷售中國產(chǎn)碳化硅(SiC)電源半導(dǎo)體芯片。以JPD品牌銷售，并負(fù)責(zé)品質(zhì)和技術(shù)支持。日本國內(nèi)SiC半導(dǎo)體制造商為了避免競爭增加，幾乎不銷售芯片。JPD根據(jù)要求對芯片進(jìn)行全面測試，并對性能進(jìn)行細(xì)致的等級劃分，滿足國內(nèi)功率模塊廠商等對SiC芯片的需求。

中國制造的SiC芯片從3家公司采購。從3月份開始提供樣品，到4月份合作的日本國內(nèi)組裝測試(OSAT)企業(yè)將具備對每個芯片進(jìn)行全面測試和等級劃分的流程安排。肖特基勢壘二極管(SBD)和金屬氧化膜半導(dǎo)體場效果晶體管(MOSFET)的650伏級和1200伏級產(chǎn)品，能夠以芯片托盤或晶圓的狀態(tài)供應(yīng)，也可以TO220和TO247打包出售。

SiC功率半導(dǎo)體方面，中國廠商超過了日本國內(nèi)廠商的供給能力，價格也便宜，日本國內(nèi)SiC半導(dǎo)體廠商為了避免自家功率模塊的競爭加劇，幾乎不銷售芯片。

JPD制定了技術(shù)支持和質(zhì)量管理流程，為中國產(chǎn)芯片的使用創(chuàng)造了便利的環(huán)境，考慮到日本國內(nèi)用戶的反應(yīng)，在加上芯片測試和等級劃分等附加價值的情況下，JPD希望能夠給予用戶更大的價值。

JPD是于2021年成立的功率半導(dǎo)體外包企業(yè)。公司正在構(gòu)建由日本國內(nèi)合作伙伴生產(chǎn)本公司設(shè)計的硅(Si)制絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的方案。原定于2022年供貨的IGBT樣品將推遲到2023年3月開始供貨。